삼성램 구분법

DDR SDRAM 512M(400Mhz)[400Mhz DDR/PC3200]

▣ 제품의 특징

DDR(Double DATA Rate) -SDRAM의 외형상의 모습은 기존 SDRAM과 다르게 184핀의 다소 많은 핀수를 가지고 있으며, 노치(Notch : 핀부분의 홈)가 SDRAM의 두 개에 비해 한 개의 노치만을 가지고 있습니다.

상단에 표기한 내용 같이 스티커를 통해 메모리를 구분할수 있으며 규격에 맞는 메인보드를 사용하셔야 합니다

▣ 메모리 구분법

삼성 메모리에 붙어 있는 라벨의 여러글자들은 다음을 뜻합니다.
DDR 메모리의 라벨에 보면 보통 이런식으로 되어 있을 것입니다.
저도 자세한 것은 모르지만 가지고 있는 자료만으로도 필요한 정보는 얻을 수 있을 것이라고 판단됩니다.
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samsung 0209
PC1600R-25330-A1
M X X X X X X X X X X X - X X X X X
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처음의 삼성은 당연히 삼성에서 만들었다는 브랜드이구요,
두번째의 0209는 제조한 년도와 월을 나타냅니다.
그다음의 PC2100은 데이터 전송속도로서 2.1GB/s의 전송속도를 가진다는 것을 나타냅니다. 이수치는 8Byte*266MHz이므로 이 메모리의 클럭은 266MHz임을 알 수 있습니다.
PC2700의 경우는 2.7GB/s로서 8*333하면 나오죠. 즉 클럭수가 333MHz임을 나타냅니다.
그 뒤의 숫자에 대해서는 모르겠네요
삼성에서 준 자료에는 다음과 같이 되어 있습니다.
PC1600 DDR Registered DIMM with CL = 2.5, t RCD = 3, t RP = 3 using the latest JEDEC SPD Revision 0.0 and produced based on the ‘A’ raw card Gerber, 1st release

그다음줄의 알수없는 숫자와 알파벳은 다음과 같은 뜻을 가집니다.
1. Memory Module(M)
2. Module Configuration
3 : 4/8 Byte DIMM
4 : 4/8 Byte SODIMM
3. 4. Data Bit

12 : x72 184pin 1U Register DIMM
24 : x64 244pin U-DIMM
28 : x72 208pin Register DIMM
32 : x32 160pin U-DIMM
44 : x72 244pin Register DIMM
46 : x72 294pin Register DIMM with PLL
47 : x72 294pin Register DIMM with PLL(512MB DIR2)
63 : x64 172pin U-DIMM
64 : x64 160pin U-DIMM
66 : x64 168pin U-DIMM
68 : x64 184pin U-DIMM
70 : x64 200pin U-DIMM
72 : x64 184pin Register DIMM
73 : x64 184pin Register DIMM with FET switch
74 : x72 168pin U-DIMM
78 : x64 240pin U-DIMM
81 : x72 184pin U-DIMM
83 : x72 184pin Register DIMM
85 : x72 200pin U-DIMM
88 : x72 200pin Register DIMM
89 : x64 200pin Register DIMM
91 : x72 240pin U-DIMM
93 : x72 240pin Register DIMM

5. Feature,Voltage
C : Network-DRAM,(2.5V VDD)
H : DDR SDRAM (3.3V VDD)
T : DDR-Ⅱ
L : DDR SDRAM (2.5V VDD)

6. 7. Depth
01 : 1M
02 : 2M
04 : 4M
08 : 8M
09 : 8M(for 128Mb/512Mb)
16 : 16M
17 : 16M(for 128Mb/512Mb)
28 : 128M
29 : 128M(for 128Mb/512Mb)
32 : 32M
33 : 32M(for 128Mb/512Mb)
56 : 256M
64 : 64M
65 : 64M(for 128Mb/512Mb)

8. # of bank in Comp.,Interface,Refresh
0 : 4bank,Mixed interface,64m/4K Refresh(15.6us)
1 : 4bank,SSTL_2,64m/4K Refresh(15.6us)
2 : 4bank,SSTL_2,64m/8K Refresh(7.8us)
3 : 8bank,SSTL_2,128m/16K Refresh(7.8us)
5 : 4bank,SSTL(1.8V,1.8V),64ms/8K(7.8us)

9. Composition Component
0 : x4
3 : x8
4 : x16
5 : x32
6 : x16+x32
7 : x4 Stack(Uniframe)
8 : x4 Stack(Flexframe)
9 : x8 Stack(Flexframe)
10. Component Generation

M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
E : 6th Generation

11. Package
G : UBGA
K : TSOP2-400 for DDP
N : STSOP2
T : TSOP2-400
U : TSOP2-400F-LF

12. PCB Revision & Type
0 : None
1 : 1st Rev.
2 : 2nd Rev.
3 : 3rd Rev.
L : Low Cost
M : New PC2700
N : PCB 4 layer U-DIMM
S : PCB 6 Layer

13. " - "

14. Power
C : Normal Power, Self Ref.
L : Low Power, Self Ref.

15. 16. Speed
A0 : 10 ns @CL2 A2 : 7.5 ns @CL2
A3 : 6 ns @CL2 A4 : 5 ns @CL2
AA : 7.5 ns @CL2,TRCD2,TRP2 B0 : 7.5ns @CL2.5
B3 : 6 ns @CL2.5 B4 : 5 ns @CL2.5
C4 : 5 ns @CL3 C5 : 3.75 ns @CL3
CC : 5ns@CL3,TRCD3,TRP3 D3 : 6 ns @CL4
D4 : 5 ns @CL4 D5 : 3.75 ns @CL4
D6 : 3.0 ns @CL4 E4 : 5 ns @CL5
E5 : 3.75 ns @CL5 E6 : 3.0 ns @CL5
F6 : 3.0 ns @CL6

17. 18. Customer (Special Handling)

"Customer List Reference"

따락서 어떤 메모리에 다음과 같이 적혀 있다고 할 경우에
M366L3313CT1-CA0
3 : DIMM방식의 메모리로서 메모리뱅크가 슬롯하나로 이루어진다.
66 : 노스브릿지와 메모리 사이의 데이터 대역폭이 64비트 방식의 168핀의 메모리
L : DDR SDRAM
33 : 메모리에 있는 반도체 칲하나하나는 32MB의 용량을 가지며
이형태의 메모리스팩에는 최저 128(4개장착)에서 최대 512메가(16개장착-양면)
3 : x8이므로 32메가 짜리 칩이 8개란뜻 따라서 이 메모리는 총 256메가 메모리라는 것을 알 수 있습니다.

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